GaASMESFET相关论文
提出了一种基于ＰＳＰＩＣＥ４．０２通用电路模拟程序与优化技术相结合提取ＧａＡｓＭＥＳ－ＦＥＴ模型参数的方法．根据实测的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小信号Ｓ参数与大信号Ｓ参数，利用约束优化技术提取模型......
本文提出一种原位测定ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ沟道中掺杂浓度分布和迁移率分布的新方法．建立了测试模型．推导出测量计算公式．用最优化方法处理实验数据，由机助......
本文将改进的快速模拟退火算法用于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ等效电路参数提取，较好地解决了宽带微波半导体器件等效电路建模难题。
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在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESF......
研究了改变MESFET漏源电压大小和交换源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级EL2的碰撞电离关系。
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讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了......
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集......
旁栅偏压条件下,GaAsMESFET沟道电流的迟滞行为与衬底深能级EL2和沟道-衬底结的特性密切相关.实验研究发现,外加旁栅偏压条件下,沟......
根据半经典输运模型,考虑了GaAs的非抛物性能带结构和主要的散射机制,采用蒙特卡罗模拟方法计算了亚微米尺寸GaAs MESFET器件的输......
期刊
在一月份举行的日本电子通信学会半导体、晶体管研究会上,日本电气中央研究所发表了微波GaAsMESFET的研究结果.功率器件在6千兆赫......
众所周知,GaAsMESFET的跨导压缩现象与栅金属、制作工艺和栅长有关。认为这种现象是由栅和漏之间裸露表面下的耗尽区引起的。基于......
本文在单栅GaAsMESFET串联电阻测量方法的基础之上,对双栅GaAsMESFET的串联电阻进行了分析,推导出双栅GaAsMESFET串联电阻的数学解......
制造了一个改进的增强型GaAs MESFET,其中采用了减小源和漏寄生电阻的高剂量Si离子注入,以及用于控制阈电压和减小肖特基栅界面状......
本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测......
本文介绍了一种双栅GaAs MESFET的微波大信号模型。这种模型能预测小信号和大信号电路的器件性能。该模型是以前建立的普通MESFET......
本文分析了栅非对称配置的GaAsMESFET的栅-源击穿电压和栅-漏击穿电压,给出了二者关系的简单数学表达式,由此发现了栅-漏击穿电压......
日本NTT研究所通过采用WSiN包封退火法,用以提高杂质分布形状的可控性;采用lu/WSiN两层栅电极结构,将栅电阻降低到原来的1/200(3......
本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该......
比较了Si~+ 单注入和Si~+ 、Mg~+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg~+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有......
期刊
研究了位错对液封直拉法(LEC)生长的非掺杂半绝缘(SI)GaAs衬底上MESFET阈值电压(V_(th))的影响及其对注入后退火的依赖性。用低As......
本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进......
讨论了一种提取GaAsMESFET小讯号等效电路参数的方法,本方法可直接决定外部和本征小讯号参数.所得到的等效电路的S参数计算值与测......
ＰＥＣＶＤＳｉＮ及其在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中的应用第Ⅱ部分：ＰＥＣＶＤＳｉＮ的性质及其对ＧａＡｓ器件性能的影响罗海云（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）ＰＥＣＶＤＳｉＮａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎＧａＡｓＭＥＳＦＥＴＰａｒｔⅡ：Ｐｒ...
PECVDSiN and Its Applications in GaAsME......
GaAsFFT 的特性分析中通常忽略了器件中信号沿栅宽方向传播所产生的影响。但是,当单个栅条的宽度很大时,这种传播的影响会使得器件......
本文提出一种测量GaAsMESFET串联电阻的方法,它对Fukui提出的测量串联电阻的方法作了必要的修正,并给出串联电阻的数学解析式和一......
GaAsMESFET 微波功率放大器已经在雷达系统，导引头系统，卫星通信，微波中继通信以及电子对抗等领域广泛使用，它性能的优劣很大程度上影......
研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,......
采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs......
期刊
本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进......
期刊
提出了一种基于ＰＳＰＩＣＥ４．０２通用电路模拟程序与优化技术相结合提取ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ模型参数的方法，根据实例的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小信号Ｓ参数与大信号Ｓ参数，利用约束优化技术提取模型......
讨论了一种提取ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ小讯号等效电路参数的方法，本方法可直接决定外部和本征小讯号参数。所得到的等效电路的Ｓ参数计算值与测量值基本吻合......
本文研究了不同气氛下衬底负偏压预溅射对GaAs肖特基势垒特性的影响。我们发现,采用氮气氛下衬底负偏压预溅射新工艺能明显改善GaA......
采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs......
提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础，应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数．......
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